在过去的几十年里，蓝冠官网 集成电路取得了长足的进步，从1958年夏天在TI实验室的第一个芯片，到现在英特尔的i7核心处理器。随着构成我们今天使用的电子产品的电路变得越来越复杂，我们需要更好的工艺和技术来改进和制造能够满足我们需要的晶圆。一间拥有所有CMOS芯片制造所需设备的洁净室在低端的成本可能高达1000万美元，而更新、功能更小的工艺成本则呈指数级上升。这使得集成电路的制造过程具有很高的门槛，因为在大多数情况下，需要大型、昂贵的实验室生产工作芯片，除此之外，还需要雇佣高技能的工人来操作和维修实验室的设备。这些因素导致了晶圆生产的总成本较高。

尽管有这些费用，一些大学能够负担得起洁净室和cmos工艺所需的设备，更少的大学允许本科生进入实验室。作为一名圣母大学电气工程专业的学生，我很幸运能够通过一个学期的课程了解到洁净室。注册IC制造课程的学生，由Greg Snider博士教授，允许进入2500万美元的圣母大学纳米制造设施。该设施为生产声音芯片所需的几乎每一个步骤提供设备，蓝冠注册 该芯片将圣母大学的战斗之歌编码为9位。能够生产我自己的工作声音芯片让我了解到一个大学水平的洁净室的工作方式，把我在大学期间学到的所有知识结合在一起。

进入一间干净的房间可能是一种令人畏惧的经历，它所需要的准备水平也令人生畏。巴黎圣母院纳米制造设施(NDNF)的洁净室分为10000级、1000级和100级区域，对应每立方英尺空气允许的粒子数。具体来说，这些级别的洁净度，比外部相同体积的数十亿个粒子要好上一个数量级，被设计用来提高含有许多集成电路芯片的大型晶圆上的芯片成品率。根据你工作的房间的“脏”程度，可能需要更多的保护。在按照正确的顺序穿上适当的防护装备后，你穿过气闸，最后进入洁净室。

我们的工艺使用了100毫米的硅片，一开始是轻p型的。由于我们收到的晶圆之间有细微的变化，我们开始对每个晶圆进行特征分析。这是我们必须在处理开始之前完成的过程中一个次要但必要的部分。我们组正在加工的晶圆盒如图1所示。

晶圆盒，100毫米硅片

下一步是使用RCA清洗工艺对晶圆进行清洗。这发生在加工的开始，以及晶圆进入任何氧化炉管或金属退火炉管之前。rcac清洗需要三个加热槽有选择地去除晶圆片表面的污染物，蓝冠招商 然后是缓冲氢氟酸槽。三种浴槽的设计目的是去除有机化合物，带状氧化物，并去除任何离子污染。在每个洗槽之间，晶圆盒进入下一个洗槽之前，要用去离子水彻底冲洗掉任何残留的化学物质。晶圆片上的任何粒子都可能破坏晶圆片上的图像特征，或在无意中引入掺杂剂，无意中改变器件的电气特性。这一步骤需要额外的保护设备，因为浴液在70摄氏度或更高的温度下使用高浓度的酸，而氢氟酸即使是手掌大小的液体暴露在人体皮肤上也是致命的。

在RCA清洗后，第一步是在晶圆上涂上光刻胶。光刻胶是一个术语，指的是含有有机化合物的各种化学物质，当暴露在特定波长的光线下时，它们的厚度会发生变化，很像照片中暴露在相机光线下的化学物质。这些化学物质对光刻工艺至关重要。光刻将图形暴露在晶圆上，从而确定最终成为晶圆上器件的层数。光刻胶通常需要一种附着力促进剂，如HMDS，一种真空暴露在所有晶片上的溶剂，以增加光刻胶和硅片表面之间的附着力。旋转光刻胶要求在高转速下旋转单个晶圆，确保晶圆上没有任何粒子的均匀分布。集成电路制造是一场与粒子的持久战，最小的粒子也能破坏器件。NDNF光刻胶旋光器的图片如下图2所示。