蓝冠招商《Q374919》在200W的CCM-PFC系统中，对一种新型600v GaAs功率肖特基二极管与Si和SiC二极管进行了比较。同时使用GaAs和SiC, PFC系统的损耗降低了25%。由于GaAs二极管的电容较低，蓝冠官网 GaAs与SiC的高通态损耗被较低的MOSFET损耗所补偿。与碳化硅技术相比，GaAs具有成本优势和强度优势，是一种非常有前途的高频和高功率密度器件。

功率密度的增加是当今电力电子的主要任务之一:系统尺寸应该减少，尽管用户应用程序的功率输出一般增加。有两种方法来应对这个挑战:以更有效的电力电子装置减少损耗;2. 通常通过增加开关频率来减少有源和无源元件的数量、重量和尺寸。

一个重要的例子是功率因数校正系统(PFC)的优化。具有PFC的升压变换器主要工作在连续电流模式(CCM)或断续电流模式(DCM)。然而，在DCM中，由于高电流峰值，大多数电路元件必须过大，蓝冠注册 这反过来要求复杂的EMI滤波。此外，系统在轻载[4]时趋于不稳定。CCM操作没有这些缺点。在许多情况下，系统可以用更少和更小的组件实现。然而，由于硬开关，它需要极低开关损耗的升压二极管。比二极管本身的损耗更重要的是MOSFET中产生的附加损耗，它必须传导二极管的反向恢复电流。如果没有二极管反向恢复，可以减小MOSFET的尺寸，节省成本。

不幸的是，由于其反向恢复行为，蓝冠招商 硅(Si)双极二极管总是显示出显著的开关损耗，特别是在操作中出现的高温情况下。硅上的单极(“纯肖特基”)二极管只能在电压高达100V的情况下制造。为了克服硅的这一限制，高带隙半导体在过去几年中受到了关注。砷化镓(GaAs)和碳化硅(SiC)肖特基二极管的击穿电压分别高达600伏特，甚至数千伏特，没有(更准确地说，只有极小的)反向恢复。这些装置已经问世好几年了，它们的优点已经在众多的应用和出版物中得到了体现。