蓝冠招商《Q374919》在广泛的功率转换应用中，功率mosfet已成为主要开关器件的标准选择。它们是没有少数载流子注入的多数载流子器件，优于开关功率损耗占主导地位的高频应用中的功率双极结晶体管(BJTs)和绝缘栅双极晶体管(igbt)。它们可以并联，蓝冠官网 因为正向电压随温度升高而下降，从而确保电流在所有组件之间的均匀分布。功率场效应晶体管的主要类别是:

n通道增强型功率MOSFET

p通道增强型功率MOSFET

n通道耗尽模式功率MOSFET

由于与p通道器件相比，蓝冠注册 n通道增强模式的通态电阻较低，因此在功率开关电路中最常用。n通道消耗模式功率MOSFET与增强模式的不同之处在于，它通常在0V栅偏置时开启，并且需要负栅偏置来阻挡电流。

垂直DMOS结构结构

具有四层n+pn-n+结构的简化垂直DMOS功率MOSFET称为n通道增强型功率MOSFET，如图1所示。高于栅极阈值水平(Vgs(th))的正栅极电压(Vgs)将在栅极氧化物下形成n型反转通道，蓝冠招商 连接源极和漏极并允许电流流动。栅极阈值电压定义为在栅极氧化物下创建n型反转通道所需的最小栅极偏置。功率MOSFET有一个寄生的BJT和一个固有体二极管作为其结构的组成部分，如图1所示。