蓝冠注册《Q374919 》

创建IBIS模型有两个部分:

*测量你想要建模的设备的pin

*根据测量抽取一个包模型

*在IBIS模型语法中表示该模型

h4。测量设备的引脚。

一个网络分析仪是一个很好的工具，蓝冠官网 使用时测量针阻抗。这是重要的电源与标称电源值的装置，因为电压电源可以影响阻抗。

用于测量设备的夹具或pcb非常重要。测试夹具的效果可以从测量中移除，但通常会增加一些错误。最佳实践是通过保持测试夹具的路径尽可能短来尽量减少测试夹具对设备的影响。一个影响很小的简单测试夹具是一个pcb板，蓝冠注册 其中被测引脚有一个垫板，在板的另一边有一个通入垫板和一个探测垫板。

一些方法去嵌入的效果的夹具是:

*使用带有Y或ABCD参数的夹具的两个端口特性。

*使用端口扩展方法内置到网络分析仪。此方法不假定fixture中没有任何损失。

测量装置。

你想要测量一个设备的标称电源上所有的电源插脚。许多设备包括CMOS设备可能有一个不同的输入电容作为设备上的电压改变，蓝冠招商 因此一个组件需要以标准的工作电压供电。如果你想测量的大头针是一个IO，确保测量是采取，而输出是三。测量IOH和IOL是表征驱动条件下输出的一种方法。

h4。提取一个包模型。

模型可以是简单的，也可以是复杂的，选择的模型类型通常取决于建模所需的频率范围。我发现一个简单的系列RLC模型在很多情况下都可以是一个高于GHz的好模型。提取模型的一种技术是使用自适应算法将去嵌入的S11数据拟合到模型中。

简单的估计

我经常使用一种简单的技术来估计RLC系列模型。在低频>50 MHz时，典型CMOS元件的电抗通常由电容主导。所以选一个低频数据点，假设所有的电抗都是由电容引起的，然后计算这个值。

[tex] Z_X(200MHz)= frac{-1}{omega cdot C} [/tex]

然后选择一个更高的频率，如1ghz和计算电感。你将使用之前计算的电容。

[tex] Z_X(1GHz)= omega cdot L-frac{1}{omega cdot C} [/tex]

我然后使用一个中程频率~ 200mhz，并假设真正的阻抗都是由于电阻。

(德克萨斯州)Z_R (200 mhz) = R_{模型}[/特克斯]