蓝冠招商《Q374919》 对于半导体、蓝冠官网 医疗和工业应用，通常面临极端温度范围、高ESD水平和对电子噪声的高灵敏度等困难的工作环境。

对于半导体、医疗和工业应用，通常面临极端温度范围、高ESD水平和对电子噪声的高灵敏度等困难的工作环境。这些应用要求数据采集和信号处理采用鲁棒的、高电压的精确电路。高精度、蓝冠注册 高电压和低噪声要求的结合，加上在恶劣的操作环境下部署的需要，使得创建能够处理所有挑战的精确模拟前端组件和电路极其困难。

这些挑战存在于广泛的高性能应用程序中，例如:

医学影像与仪器

过程控制(I/O模块)

精密仪器仪表和测试系统

光谱分析仪器

热电偶

Bio-analyzers

ATE和数据采集

精密模拟前端电路的设计对于使用高阻抗传感器的应用程序来说尤其具有挑战性。这些器件本质上更容易被电容性和感应性噪声拾取，并且通常具有较高的噪声灵敏度，这使得很难实现读数的重复性和设计的整体稳定性。例如，许多使用光学成像、光电二极管、压电传感器、压阻式压力传感器、PH值传感器或气体表的工业系统必须能够在通常非常恶劣的操作条件下提供快速和准确的读数，以实现实时过程监控和控制应用。

正如本文所讨论的，解决这些挑战需要一种自下而上的基本方法，首先使用先进的双极工艺来设计和制造产品，蓝冠招商 如精密运算放大器、仪表放大器和带隙电压基准。利用设备制造技术,如深沟隔离和横向间距优化噪声性能,减少寄生泄漏在晶体管级,这种方法使设计师创建非常健壮的产品非常有效power-to-bandwidth特点和能处理高阻抗输入速度、精度和低功率的使用。

过程方法概述

Intersil开发了一种新的40V互补双极JFET (CBiFET)流程，即PR40，专门用于开发针对精确模拟电路应用优化的健壮产品。该工艺是在粘接绝缘体上硅(BSOI)衬底上制作的，并使用深沟槽隔离(DTI)来构建具有完全介电隔离的器件。该流程的特点是核心双极基础和可选设备模块，可根据需要添加，以促进特定产品的低成本制造。PR40工艺目前被用于制造一系列低噪声精度运算放大器、仪表放大器、电流感应放大器和带隙电压基准，用于工业、医疗和其他高性能应用。

BSOI衬底提供了许多重要的优点。这些包括具有低寄生率的健壮设备，这些设备表现出非常可预测的设备性能特征，并且在恶劣的环境应用程序中没有锁存。BSOI是一种方便的隔离方法，用于制造互补双极器件，与通常在高压模拟电路中使用的接点隔离器件相比，具有显著的面积减少。