蓝冠注册《Q374919》1947年，蓝冠 肖克利、布拉顿和巴丁正在研究场效应晶体管，但他们却发明了双极晶体管。1952年，肖克利场效应晶体管发表。由于材料加工技术在1960年之前还不够成熟，John Atalla生产了一种工作装置。

FET是一种晶体管，它通过电场控制半导体材料中一种载流子的形状和导电性。它是一种仅使用一种载流子导电的三端单极器件。比较了它们的单机型操作和BJT的双机型操作。fet是由一个有源通道组成的多数电荷载流子(电子或空穴)从源流到漏极的多数电荷载流子器件。通道的电导率是施加在栅极上的电位的函数，通过欧姆接触，源极和漏极端子被连接到半导体上。

如下图所示，门是电流控制终端。当用直流驱动时，场效应晶体管上的栅极几乎不通过电流，蓝冠官网 而双极晶体管的基极只通过少量电流。电流沿着被称为通道的半导体路径流动。一个叫做源的电极在通道的一端，一个叫做漏的电极在通道的另一端。

FET的操作在电路层面上是简单的。在栅极区域之间的单极区域是通过对输入元件(栅极)施加电压来控制其电阻的通道。下面所示的器件是一种n通道类型，它是一种终端在末端的轻微掺杂的n型硅片。在这个n通道器件的栅极是一个很重的p型区域，位于板的中心两侧，作为一个控制电极。BJT的发射器和收集器类似于源极和漏极端子。

电子的流动是由场效应晶体管控制的，蓝冠注册 通过影响一个导电通道的大小和形状，并影响施加在栅极和源端子上的电压。电子从源流向漏极所经过的流是导电通道。

场效应晶体管可以由许多半导体构成，最常见的材料是硅。使用单晶半导体晶片作为有源区域或通道，大多数fet是由传统的批量半导体处理技术。一个集成电路可以包含数千个fts以及电阻、电容和二极管等其他元件。场效应晶体管有两大类，即结型场效应晶体管(JFET)和金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)。其他类型包括ISFET(离子敏感场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极晶体管)、OFET(有机场效应晶体管)、NOMFET(纳米颗粒有机记忆场效应晶体管)、DGMOSFET(双栅场效应晶体管)、MODFET(掺杂调制场效应晶体管)等。