蓝冠注册《Q374919》 结型场效应晶体管有一个由n型半导体或p型半导体材料组成的通道，蓝冠 门是由相反的半导体材料构成。

结型场效应晶体管有一个由n型半导体或p型半导体材料组成的通道，门是由相反的半导体材料构成。n通道掺杂了施主杂质，蓝冠官网 其中流过通道的电流是负的电子形式。p通道掺杂了受体杂质的流动是正的孔形式的电流。由于电子通过导体的迁移率比空穴高，n沟道JFETs与等效的p沟道类型相比具有更大的沟道电导率。

晶体管的结场效应特性-1.jpg

JFET的结构

输入阻抗非常高，因为门结是反向偏置的，因为没有少数载流子贡献通过该装置。n通道中载流子的耗尽是JFET的控制因素。当栅极变得更负时，栅极周围一个更大的耗尽区所产生的大多数载流子被耗尽。对于给定的源极漏极电压，这将减小电流。

JFET常用特点:

快速切换

对于低频工作，源极和漏极可以互换

控制漏极电流的栅极电压

单一的多数载流子

小

高“Z”输入

结构和功能

可以用多种方法制造fet。重掺杂的衬底通常作为硅器件的第二栅极。利用外延或通过将杂质扩散到衬底或通过离子注入，蓝冠注册 可生长活性n型区域。漏极和源极之间的距离是很重要的，无论场效应管使用何种材料，都应该保持在最小的距离。

由于JFET是半导体材料的长通道，因此它被掺杂以包含大量的正电荷或负电荷载流子。为了使P-N结发生在界面上，栅极端子应该有与环绕它的通道相反的掺杂。通过JFET的电荷流动是通过压缩载流通道来控制的，而在花园软管中，水的流动是通过压缩它来控制的，减小了横截面。