蓝冠官网《Q374919》今天有许多应用使用高压mosfet和igbt，蓝冠官网 这将受益于更高的电压部分。例如扫描电路、雷达脉冲调制器、电容放电电路、固态继电器、牵引设备上的辅助电源和其他高压开关电源。mosfet以串并联串方式连接，以克服其电压和高RDS(on)限制。高压igbt在某些应用中速度太慢。一种新的高电压BIMOSFETTM晶体管家族正满足这些需求。

mosfet和igbt的传统结构通常被称为DMOS(双扩散金属氧化物硅)，它由一层生长在厚的低电阻硅衬底上的外延硅组成，蓝冠注册 如图1b所示。然而，在电压超过1200V时，支持这些阻塞电压所需的Nsilicon层的厚度使得使用非外延结构(如图1a所示)更具吸引力，且成本更低。这种类型的建筑也被称为“同质基”或“非穿孔”(NPT)。

参考图1a, IGBT保持了典型的PNP结构，但需要注意的是，为了降低PNP晶体管的电流增益，蓝冠招商 从而降低其关断开关行为，引入了N+集电极短模式。然而，现在有一个“自由”的本征二极管从发射极到集电极，不像发现在一个MOSFET，这导致我们硬币的首字母缩写’ bimosfttm晶体管。BIMOSFETTM晶体管的关断行为是由集电极短路量控制的。为了使二极管可用且不引起换相dV/dt问题，必须通过辐照降低少数载流子的寿命。最终的结果是，通过调整其集电极的短模式和适当的照射量，器件可以优化为高频或低频切换。