蓝冠注册《Q374919》 在n型半导体和p型半导体的边界上形成了一个P-N结，它是由半导体单晶掺杂而形成的。P-N结的性质是固态电子学的关键之一。P-N结是器件发生电子作用的活跃位点，蓝冠官网 因为它们是大多数半导体电子器件的基本组成部分，如太阳能电池、led、晶体管、集成电路和二极管。当p型材料和n型材料单独接触时，结的表现非常不同。电流将朝正偏方向流动，而不是反偏方向，这就产生了基本二极管。

从图1的结象可以看出，蓝冠注册 晶格中的空穴或电子学缺陷是由左边的开圆表示的，充当正电荷载流子。来自n型掺杂剂的可用电子由结右边的实心圆表示。当电子漫过并与空穴结合时，在结附近产生耗尽区。P-N结的平衡条件由右上面的能级示意图表现出来。

图2显示了在零偏置电压作用下的P-N结处于热平衡状态。蓝色线和红色线分别表示电子和空穴浓度。带正电的是淡红色区域，蓝冠招商 带负电的是浅蓝色区域，带负电的是灰色区域。底部是电场和电子和空穴上的静电力。在P-N结中，在没有外加电压的情况下，通过结形成电位差，从而达到平衡条件。